清華博士后、老師獲IEEE超年夜范圍集成電路年度集會(huì)最好論文獎(jiǎng) -

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清華博士后、老師獲IEEE超大規(guī)模集成電路年度會(huì)議最佳論文獎(jiǎng)

　　清華消息網(wǎng)8月29日電 8月19-21日，在美國(guó)馬薩諸塞大學(xué)阿姆赫斯特分校召開的第11屆IEEE超大規(guī)模集成電路年度會(huì)議（IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI，ISVLSI 2012）上,清華大學(xué)總裁培訓(xùn)班，清華大學(xué)電子系電路與體系研究所博士后羅洪的論文《考慮RTN效應(yīng)的納米級(jí)電路性能退步的評(píng)測(cè)與克制辦法》（Temporal Performance Degradation under RTN: Evaluation and Mitigation for Nanoscale Circuits）獲最佳論文獎(jiǎng)。這是大陸研究職員作為第一作者的論文初次取得該集會(huì)最佳論文獎(jiǎng)。我校電子系汪玉、楊華中，盤算機(jī)系馬昱春等為論文獨(dú)特作者。

　　該論文的研討任務(wù)樹立了電路級(jí)考慮RTN的性能仿真平臺(tái)，提出采取針對(duì)自力隨機(jī)變量乞降的采樣跟分組方式，下降了基于門路的性能幾率散布仿真的龐雜度（由指數(shù)釀成線性），使得斟酌RTN的年夜范圍數(shù)字電路的機(jī)能仿真成為可能。

　　此次大會(huì)共收到來(lái)自天下各地的論文200余篇，此中3篇被評(píng)為最好論文獎(jiǎng)。

供稿：電子系　編纂：冰　冰